界面掺杂调控取得重要进展:ZnO单纳米线光电性能实现优质集成

合肥微尺度物质科学国家实验室的博士生丁怀义和潘楠副研究员等人,提出了一种新颖的纳米线界面掺杂策略,通过发展CVD再生长技术,制备出具有“核-界面-壳”结构的ZnO纳米线,其电导率高达4×104 S/m,比常规纳米线提高一个量级以上,不仅电子浓度高一个量级,迁移率也明显改善;而且其带边发光强度也高出一个量级。