北京大学孙俊良课题组报道了一种通过阳离子夹层和表面改性有效地提高Ti3C2Tx MXene的质量比电容的方法。在K+插入和端基（OH-/F-）部分被移除之后，夹层材料的赝电容比原始MXene材料电容高三倍以上，同时MXene片层的质量电容明显增大，在1A/g的电流密度下质量电容可达517F/g；此外，制备好的电极在循环10000圈后仍能保留99%。
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