通过平面空位阵列和能带汇聚在Ge1-x-yCdxBiyTe材料中实现优异的热电性能

澳大利亚南昆士兰大学陈志刚教授和昆士兰大学邹进团队合作首先利用Cd参杂来降低p型GeTe中多价带间的能级差。Cd参杂的GeTe对应的S得到了增大,虽然载流子浓度没有发生显著变化,但是电子传输的模拟分析发现,Cd参杂导致GeTe的有效增大。