大尺寸SnS2/MoS2垂直双层异质结的直接合成

中国科学院半导体研究所李京波研究员和魏钟鸣研究员领导的团队,采用直接化学气相沉积法成功获得了高质量、大尺寸、高产率的二维双层SnS2/MoS2异质结。