Small:使用激光辐照p型掺杂方法制备出同质二维MoTe2 CMOS反向器和p-n结

复旦大学信息科学与工程技术学院微纳系统中心刘冉课题组通过简单直接的激光辐照工艺实现了对二维材料MoTe2的p型掺杂,以这种简单的p型掺杂工艺制备出了高性能MoTe2 CMOS反向器和p-n结。

Advanced Materials:非易失铁电极化——构建低维半导体结型器件的新方法

中国科学院上海技术物理研究所研究团队与合作者利用非易失性的铁电极化掺杂低维半导体材料,构建了面内p-n结,该p-n结具有整流比大、漏电流小的特点,可实现高灵敏光电探测。

Advanced Functional Materials:基于MoS2范德华p-n结的高选择性NO2室温气体传感器

青岛大学物理科学学院张军团队和德国洪堡大学的Nicola Pinna教授合作,成功构筑了基于MoS2 的范德华p-n结气体传感器,用于室温气体探测。研究发现在紫外光照下,基于气体吸附对界面势垒高度的调控,该传感器对NO2气体表现出超高灵敏度和优异的选择性,检测极限达8 ppb,并且能够在30 s内实现完全恢复。