Advanced Functional Materials:用于搭建高性能p-n异质结光电器件的新型p型半导体-Cu9S5

华中科技大学材料科学与工程学院翟天佑课题组利用加盐辅助的化学气相沉积法合成出新型p型材料Cu9S5,具有高空穴掺杂浓度和良好的导电性能。以MoS2作为n型材料搭建的Cu9S5/ MoS2异质结具有较高的光照开关比和响应度。