Small Methods:可控制备具有更高析氢性能的F掺杂MoS₂边缘位

厦门大学曹阳课题组发展了一种CHF3等离子刻蚀的方法,在大量制备MoS2活性边缘位的同时,对该边缘位进行可控的氟掺杂,并利用电化学微芯片测试技术实现对特定类型和数量的活性位性能的定量表征。