InfoMat:聚焦InSe与GaSe的接触、迁移率、封装工艺的新进展

具有丰富电子特性的半导体二维(2D)材料的出现为下一代电子器件的设计与探索提供了绝佳的机遇。其中代表性的材料体系之一为III-VI族化合物,又以硒化铟(InSe)和硒化镓(GaSe)为代表。与过渡金属二硫化物相比,III-VI族化合物迁移率较高、直接带隙较窄,然而,InSe和GaSe对环境的敏感性限制了其功能器件应用,在制备方面亦缺乏大规模制备路径。在此,来自HZDR研究所的Himani Arora与Artur Erbe概述了近年来InSe和GaSe的材料合成与电输运特性的研究,罗列了推动器件优化的因素,如衬底、金属接触以及器件制备过程等。此外,作者对InSe和GaSe各种封装技术进行了全面讨论。

InfoMat:半透明钙钛矿太阳能电池研究进展

吉林大学段羽教授团队提供了一份针对半透明钙钛矿太阳能电池最新发展的评述。这篇综述在ST‐PSCs的器件结构设计(包括叠层器件)、透明电极、色彩调整策略和稳定性等方面重点介绍了ST‐PSCs研究和开发的最新进展,同时对于ST‐PSCs未来的发展,作者提出了自己的看法

InfoMat:过渡金属二硫化物的拓扑结构-制备、效应、应用和发展前景

北京师范大学刘楠教授团队系统地总结了各类拓扑结构的制备方法,基于拓扑结构产生的新颖的物理性质及在光电子学方面的应用。

InfoMat:通过CVD制备CoSe-WSe2横向异质结改善器件性能

来自湖南大学的段曦东教授团队利用两步CVD法,实现了高性能CoSe-WSe2横向异质结构的可控制备。

InfoMat:面向柔性电子应用的室温塑性无机半导体材料

上海交通大学/中科院上海硅酸盐所史迅教授团队针对几种室温塑性无机半导体材料,系统介绍了其晶体结构、化学键及其与力学性质的关联,阐释了其变形机理,讨论了其应用前景。

InfoMat:刘生忠专访:把握领域前沿,专注专长特色

InfoMat:刘生忠专访

InfoMat:双面修饰稳定调制硼烯电子结构

澳大利亚昆士兰科技大学Liangzhi Kou教授团队与美国波多黎各大学Zhongfang Chen教授团队合作,通过第一性原理计算,预测除了H原子外,还可以使用单价官能团X(X = F,Cl,Br,I,OH或NH2)来稳定蜂窝硼单层。

InfoMat:微纳光学结构增强二维材料中的光与物质相互作用

香港中文大学电子工程系许建斌教授团队的陶立博士、陈泽锋博士及合作者在InfoMat上发表了题为“Enhancing light-matter interaction in 2D materials by optical micro/nano architectures for high-performance optoelectronic devices”的综述评论。

InfoMat:柔性电子器件中的柔性锂离子电池发展进展

来自加州大学河滨分校的Chengkuo Lee教授团队提供一份针对柔性电子设备的柔性锂离子电池(FLIBs)的最新发展的评述。

InfoMat:化学沉积技术生长的氧化镍薄膜-用于下一代刚性和柔性器件的潜在应用及挑战

来自英国剑桥大学的Robert L. Z. Hoye教授和Judith Driscoll教授团队从NiOx的电子结构入手,首先介绍了非化学计量比对NiOx薄膜电学和磁学性能的影响。