硫化铟(In2S3)——具有宽谱响应光电探测性能的新型二维材料

华中科技大学材料科学与工程学院翟天佑教授课题组首次通过化学气相沉积法在限域空间内成功获得了一种新型的高质量二维III-VI族半导体——硫化铟(In2S3),通过控制限域空间的大小,实现了In2S3二维材料大小、厚度及形貌的可控合成,基于In2S3二维材料的光电探测器件展现了优异的宽谱光响应性能。