范德华外延法制备超薄二维GeSe2菱形纳米片

华中科技大学翟天佑教授课题组避开了传统的化学气相沉积方法,引入了一种全新的Ge源(GeI4),通过范德华外延法实现了超薄二维GeSe2纳米片的可控制备。