Advanced Energy Materials:Cu2Se插层材料纳米片阵列储钠性能研究

中国科学院金属研究所李峰研究员团队联合郑州轻工业大学方少明教授团队等采用室温插层合成过程得到了具有可扩展层距的单斜Cu2Se插层材料纳米片阵列。因纳米片阵列直接在集流体基底上生长,且具可控的层间距,所以极大降低了离子传输阻碍,增加了材料倍率性能。调控层间距使用的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)可抑制了电化学过程中铜颗粒的生长与多硒化物的穿梭,从而显著提高了材料的循环稳定性能。

Advanced Functional Materials:多原子位置调控化学组分实现类液态热电材料服役稳定性与热电性能协同提升

中国科学院上海硅酸盐研究所陈立东研究员,史迅研究员,仇鹏飞副研究员通过在类液态热电材料Cu2Se中的Cu原子位置引入空位和Se原子位置引入S固溶,同时实现了临界电压的提升和载流子浓度的优化,进而获得了兼具高服役稳定性与优良热电性能的类液态热电材料。