Annalen der Physik: 二维材料带电缺陷能量计算方法(WLZ方法)及缺陷物理探索

吉林大学、伦斯勒理工学院研究者从二维材料带电缺陷计算方法开发(WLZ方法)和维度降低带来的新缺陷物理两方面,对近年来二维材料缺陷性能探索进行了回顾,并针对缺陷调控在发展未来二维电子器件方面的重要角色,展望了研究方向。

Annalen der Physik (ADP): 绝缘铁酸铋材料中71°畴壁附近显著增强的局域导电性及存储应用

清华大学于浦教授及其团队通过联立压电力显微镜(PFM)和导电原子力显微镜(c-AFM)两种测量手段,首次发现了BiFeO3薄膜表面上非极性71°畴壁附近出现的强导电性来源于亚稳态纳米畴的形成,揭示出原铁电畴整体极化向下的区域在畴壁附近出现了极化向上的纳米畴。