近期，天津大学化工学院的巩金龙教授及其团队，利用磁控溅射技术巧妙地在单晶硅表面覆盖上一层镍金属薄膜，继而利用原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition, ALD）在单晶硅和镍金属层之间引入Al2O3钝化层，进行界面修饰。
基于原子层沉积的多点位Ti掺杂正极材料表面研究
2017年12月26日 By 请评论
加拿大西安大略大学孙学良院士课题组长期致力于运用原子层沉积技术（ALD）设计电极材料界面，从而达到优化材料性能的目的。
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近期，天津大学化工学院的巩金龙教授及其团队，利用磁控溅射技术巧妙地在单晶硅表面覆盖上一层镍金属薄膜，继而利用原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition, ALD）在单晶硅和镍金属层之间引入Al2O3钝化层，进行界面修饰。
加拿大西安大略大学孙学良院士课题组长期致力于运用原子层沉积技术（ALD）设计电极材料界面，从而达到优化材料性能的目的。
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