调控重金属/铁磁金属界面实现高性能自旋电子器件

北京航空航天大学微电子学院赵巍胜教授课题组介绍了调控重金属/铁磁金属界面实现高性能自旋电子器件方面的最新进展,讨论了该领域面临的重大挑战,并对未来的研究方向和应用前景进行了展望。

基于钽掺杂SiOx的3D垂直结构高性能忆阻器

美国马萨诸塞大学阿默斯特分校夏强飞教授课题组开发并制备了基于钽掺杂SiOx的高性能3D垂直结构忆阻器。

Advanced Electronic Materials :柔性HfO2/TiO2双层阻变存储器件中氧空位行为研究

湖北大学物理与电子科学学院叶葱课题组联合中国科学院宁波材料技术与工程研究所竺立强研究员在柔性PEN衬底上制备了ITO/TiO2/HfO2/Pt阻变存储器件。

Advanced Electronic Materials:基于聚对二甲苯和石墨烯阻挡层的低功耗有机柔性忆阻器

北京大学微纳电子学研究院蔡一茂教授课题组与中科院微电子所刘琦课题组合作研制了一种基于聚对二甲苯和石墨烯阻挡层的低功耗柔性忆阻器。

Advanced Electronic Materials:具有面外垂直极化的新型二维材料:LiAlTe2

吉林大学张立军课题组通过基于物理原则的第一性原理计算材料设计,发现了一类具有面外垂直极化的新型二维材料:LiAlTe2。课题组刘准博士(吉林大学材料科学与工程学院助理研究员)为论文第一作者,与美国密苏里大学的David J. Singh教授合作完成该研究。

Advanced Electronic Materials:忆阻器中量子电导效应的最新进展综述

近日,来自中国科学院宁波材料技术与工程研究所的李润伟研究员团队撰写了题为“Recent Advances of Quantum Conductance in Memristors”的综述论文,薛武红博士和高双副研究员为共同第一作者。论文首先简单介绍了忆阻器中纳米导电通道的演化动力学过程,然后详细总结和讨论了忆阻器中量子电导效应的实验观测、理论理解(包括量子点接触模型和第一性原理计算)、可控调节以及其在逻辑运算、突触仿生和光电开关/探测方面应用的最新进展。

基于二维原子晶体的下一代数据存储

针对当前二维原子晶体在数据存储领域的研究现状,复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室周鹏教授依据二维原子晶体存储器数据保持时间的长短,将存储器分为两大类进行介绍(非易失性存储器:数据掉电后仍能保持;易失性存储器:掉电后数据消失)。

基于电场的高速存算一体器件

复旦大学沈健课题组利用强关联电子材料-锰氧化物的金属绝缘体转变特性,制备了利用纯电场操作,集存储与逻辑于一体的非冯诺依曼架构器件。

插层离子产生的二维稀磁多铁半导体

华中科技大学物理学院吴梦昊教授课题组开展了一系列关于二维铁电/多铁的理论研究。

有机半导体和电荷俘获介质间能带匹配的高性能有机场效应晶体管

南京大学殷江研究团队设计了并制作了基于ZnTe和并五苯的有机场效应晶体管器件。