利用范德华外延p-GaSe/n- MoS2面间PN结提升MoS2 的光探测性能

来自华中科技大学材料科学与工程学院的翟天佑教授课题组,通过范德华外延生长的方法合成了p-GaSe/n-MoS2面间PN结,并结合理论计算和实验,对该异质结进行了仔细研究。