半导体和绝缘基底上直接CVD生长石墨烯:无转移实现高质量石墨烯的应用

中国科学院化学研究所于贵研究员课题组在石墨烯的化学气相沉积制备以及性能研究方面取得了一系列的原创性成果,通过对生长过程的研究实现了对石墨烯的不同形貌以及刻蚀机制的有效调控,受到了国内外同行的广泛关注。