Advanced Intelligent Systems: 人工神经架构 – 基于新型有机小分子的忆阻器件

深圳大学高等研究院周晔课题组、微纳光电子学研究院韩素婷课题组与台湾清华大学化学工程系周鹤修课题组合作应用溶液法合成一种新型的有机小分子(pPPI),用于制备高性能的两端结构阻变存储器器件并用于神经突触可塑性的模拟,同时运用Butler–Volmer方程探讨了有机突触中线性电导调制与脉冲参数的关系。

Advanced Electronic Materials :柔性HfO2/TiO2双层阻变存储器件中氧空位行为研究

湖北大学物理与电子科学学院叶葱课题组联合中国科学院宁波材料技术与工程研究所竺立强研究员在柔性PEN衬底上制备了ITO/TiO2/HfO2/Pt阻变存储器件。

有望用于未来弹性可穿戴器件的新型弹性阻变存储器

中国科学院宁波材料技术与工程研究所李润伟研究员带领的科研团队进一步提出了采用有机-无机杂化的金属-有机框架(MOF)材料作为阻变介质构建RRAM器件,来同时提高柔性RRAM器件的存储性能、弹性机械性能和热稳定性。MOF材料是有机配体与金属离子或团簇通过配位键构建的有机-无机杂化的晶体框架材料。

Advanced Electronic Materials:基于界面工程调控聚合物阻变存储器转变电压的新策略

南京工业大学先进材料研究院黄维院士、刘举庆教授课题组提出了一种基于界面工程调控聚合物阻变存储器转变电压的新策略。

人工神经架构——基于电荷捕获型器件的人工突触

深圳大学韩素婷,周晔课题组应用溶液法合成金纳米颗粒,掺于有机聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVPy)中形成杂化材料,用于制备高性能的两端结构阻变存储器器件并用于神经突触可塑性的模拟。