效率超过14%的直接溅镀铜铟镓硒吸收层并搭配碱金属后退火处理之薄膜太阳能电池

台湾国立清华大学材料系赖志煌教授的研究团队在前期工作中开发了一阶段溅镀四元靶材且不需后硒化制程,来制备铜铟镓硒吸收层。目前以此制程所制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池,容易遇到硒供应不充足的现象,导致组件转换效率约只有10~11%。他们针对四元靶制程之硒缺乏的问题在一阶段四元靶溅镀制程之后,搭配采用氟化钠与氟化钾的后退火处理,成功提升铜铟镓硒薄膜太阳能电池的转换效率超过14%,是目前此类制程的最高效率。