Advanced Materials Technologies:借助半导体工艺制作卤化物钙钛矿信息器件

中科院半导体研究所陈弘达课题组和北京理工大学陈棋课题组针对这一问题,通过在标准光刻工艺中添加聚对二甲苯(Parylene)保护薄膜的方式,成功制作出特征尺寸为2微米的MAPbI3光电探测器和CsPbBr3忆阻器。