Advanced Materials:通过缺陷工程构筑单层二硫化钼同质结逻辑转换器

北京科技大学张跃院士、张铮副教授课题组利用溶液电子诱导效应,在单层二硫化钼中精确、可控地制造了单硫空位(Monosulfur vacancies:Vmonos),通过单硫空位引入的浅能级缺陷诱导捕获电子有效调控了单层MoS2电学性能,成功构筑了原子层厚度单层MoS2同质结型器件,实现了逻辑转换功能。