InfoMat:聚焦InSe与GaSe的接触、迁移率、封装工艺的新进展

具有丰富电子特性的半导体二维(2D)材料的出现为下一代电子器件的设计与探索提供了绝佳的机遇。其中代表性的材料体系之一为III-VI族化合物,又以硒化铟(InSe)和硒化镓(GaSe)为代表。与过渡金属二硫化物相比,III-VI族化合物迁移率较高、直接带隙较窄,然而,InSe和GaSe对环境的敏感性限制了其功能器件应用,在制备方面亦缺乏大规模制备路径。在此,来自HZDR研究所的Himani Arora与Artur Erbe概述了近年来InSe和GaSe的材料合成与电输运特性的研究,罗列了推动器件优化的因素,如衬底、金属接触以及器件制备过程等。此外,作者对InSe和GaSe各种封装技术进行了全面讨论。

Advanced Materials:柔性侧链对共轭聚合物半导体迁移率及功能的影响

中国科学院化学研究所张德清课题组综述了共轭聚合物侧链对半导体性能及功能影响的最新进展,包括烷基侧链,含杂原子及官能团修饰的侧链等。最后,他们对共轭聚合物的侧链研究现状和发展前景做了总结和展望。

具有强层间相互作用和高迁移率的新型贵金属硫属化物

香港理工大学应用物理学系柴扬教授课题组,中国人民大学物理学系季威教授研究组与新加坡南洋理工大学刘政教授、南京大学王欣然教授合作,通过实验测量和理论预测对贵金属硫族化合物的代表材料二硫化铂(PtS2)和二硒化铂(PtSe2)进行了系列研究。

高迁移率液晶有机半导体材料

北京大学新材料学院孟鸿教授团队与美国普林斯顿大学Yueh-Lin Loo 教授团队合作,合成了一个空气稳定的棒状液晶小分子材料,这种半导体材料具有良好的溶解性,有望成为下一代易加工型柔性电子产品的关键材料。

第一原理计算助力石墨烯能带设计

南京航天航空大学郭万林教授对石墨烯能隙“绘制”了一幅清晰的图像,他们首先考虑到碳管能隙打开取决于其晶格基矢是否为石墨烯基矢3的倍数,随后思考石墨烯有序孔阵列是否也有类似规律。在通过系统的第一原理计算和分析后,郭教授得到了非常简洁的、不同于碳纳米管的有序孔阵列基矢依赖的能隙规律。