Small:基于沸石分子筛材料的超低能耗忆阻突触器件

忆阻器是构筑脑启发式神经形态突触器件的理想选择之一。然而,由于忆阻突触器件内部导电通道(conductive flaments, CFs)易于产生随机性及过量生长, 其通道形貌具有不可控性,并导致器件运行能耗升高,难以与大脑中单个突触事件的能耗所比较 (~10 fJ)。针对这一问题,东北师范大学王中强教授、徐海阳教授和朱广山教授提出了一种基于沸石分子筛材料(LTA-zeolite)的忆阻型突触器件,利用分子筛的亚纳米孔道限域导电通道尺寸,实现了低于10 fJ/spike的超低能耗运行;进一步,通过电学与化学协同调制短时/长时记忆功能。相关论文在线发表在Small上,并遴选为Inside Cover做简要介绍。