二维材料垂直结构实现负微分电阻与人工神经元器件

南京大学物理学院缪峰教授课题组将目光转向了过渡金属硫族化合物层状材料(transition metal dichalcogenides,TMDs),制备了基于金属/硫化钼/金属的垂直结构器件,并在该器件中发现了S-type NDR现象。

Advanced Electronic Materials: 空气湿度对TiOx 纳米薄膜调控—实现忆阻与负微分电阻效应室温稳定共存

西南大学材料与能源学部宋群梁教授带领的团队以及其组员周广东博士利用55 nm致密型TiOx薄膜首次实现了二者室温稳定共存。他们利用溶胶-凝胶法在F-掺杂SnO2导电玻璃(FTO)衬底上以55 nm 致密型TiOx为功能层,Ag为上电极制备了Ag|TiOx|FTO结构的忆阻单元。