Small Methods: 衬底工程助力单晶石墨烯的化学气相沉积

新加坡南洋理工大学黄明博士和陈鹏教授等人对单晶衬底的选择和设计及用于单晶石墨烯的可控合成进行了全面的综述。

GaN衬底调控增强MoS2室温谷极化率

北京大学物理学院戴伦教授、叶堉研究员与其合作者采用化学气相沉积法,在晶格匹配的氮化镓(GaN)衬底上外延生长出单层MoS2,形成第I类异质结。