基于非晶态金属氧化物薄膜晶体管的氢掺杂工艺和超高表观迁移率分析

近期中山大学刘川教授的研究团队发现,可以通过简单封装和热退火,制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管,其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。

Advanced Electronic Materials:透明柔性显示器的希望—极低温制备高性能透明柔性薄膜晶体管和电容器

武汉大学刘昌教授和吴昊副教授研究团队设计了一种极低温氧化锌薄膜晶体管,用以未来透明柔性显示器件的应用。除此之外,刘昌教授和吴昊副教授课题组还设计了一种全透明的柔性电容器。

控制制备让金属杂质远离碳纳米管晶体管

中国科学院金属研究所先进炭材料研究部成会明、刘畅研究团队通过调控非金属氧化硅纳米颗粒的大小及氧/硅比等,实现了高纯度、无金属杂质的金属性/半导体性单壁碳纳米管的可控制备,进而分别以半导体性和金属性单壁碳纳米管为晶体管的沟道材料和源漏电极制备出全碳纳米管薄膜晶体管器件。

基于高k材料的低压n型和p型薄膜晶体管研究获得新进展

青岛大学物理学院Fukai Shan课题组首创地利用“水性溶胶”技术实现新型氧化钪(Sc2O3)高k介电材料及其在低压n型和p型薄膜晶体管(TFT)上的应用。高k介电薄膜和p型半导体材料一直是微电子器件研究的亟待突破的重点领域,也是低功耗显示器、CMOS集成电路必不可少的组成部分。“水溶胶”Sc2O3高k介电薄膜的成功实施也是世界范围内首次利用廉价的溶胶技术制备该类介电材料。同时利用“水溶胶”技术和“水溶胶”诱导的“多元醇还原”技术分别制备n型InZnO和p型CuO半导体沟道层。测试结果表明Sc2O3高k介电材料的使用极大地缩小了TFT器件的操作电压(从40 V降低到1.5 V),仅利用一节干电池即可驱动,对低能耗电子器件的研发具有重要的意义。“水性溶胶”技术的成功实施将推动微电子产业走向更加绿色环保的道路。该成果将对平板显示领域、生物和光探测领域、以及CMOS集成电路的应用开发有重要影响。

超薄、超柔自支撑有机电子器件和电路

最近,在超薄超柔有机电子器件这一热门研究领域,中国科学院化学研究所的刘云圻研究员带领的团队取得了新进展,他们成功地将有机场效应晶体管的柔性指标——弯折曲率半径又降低了一个数量级,达到5微米。