Advanced Electronic Materials: 纳米级厚度铁磁半导体的剥离转移及其范德华异质结的构建

北京大学叶堉研究员和戴伦教授研究团队和中科院半导体所赵建华课题组合作,发展了一种将10-20 nm薄的二维铁磁半导体(Ga,Mn)As从MBE生长基底上剥离转移下来的方法,并运用定向干法转移技术,制备了基于剥离后(Ga,Mn)As的范德华异质结器件。

InfoMat: 基于Bi2O2Se /石墨烯范德华异质结的光电及短沟道器件

北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组通过直接转移法实现了高迁移率二维半导体Bi2O2Se和石墨烯的范德华异质结结构的构筑,并将这类异质结应用到的短沟道场效应晶体管和红外探测器中。

利用电化学栅极调制MoS2/石墨烯范德华异质结的激子态行为

哈尔滨工业大学材料学院甄良教授、徐成彦教授及其研究团队通过构建单层MoS2/石墨烯异质结构体系,以溶胶电介质作为栅极,系统研究了MoS2与石墨烯界面处的能带排列以及MoS2中载流子浓度对MoS2/石墨烯异质结光致发光性能及激子态行为的影响。