Small Science—— 一维范德华异质结纳米管

WILEY开放获取(OA)旗舰期刊Small Science近日发表了来自东京大学丸山茂夫(Shigeo Maruyama)教授的关于一维范德华异质结纳米管的展望文章。

Nano Select:基于二维材料的中红外光探测器的发展

中科院长春光机所李绍娟研究员和黎大兵研究员等合作近期以“Research development of 2D materials based photodetectors towards mid-infrared regime”为题综述了基于二维材料的中红外光探测器的发展。文章介绍了基于二维材料的中红外光探测器的应用潜力,总结了这一领域的发展现状和挑战,归纳对比了目前提升器件性能的不同方法,并对器件性能的进一步优化提出了建议。

Advanced Functional Materials:高开关比、快速响应的自驱动WSe2/Bi2O2Se范德华异质结光电探测器

华中科技大学材料学院翟天佑课题组通过定点转移的方法制备了新型WSe2/Bi2O2Se范德华异质结,实现了高开关比、快响应速度、宽光谱响应的自驱动光电探测器的构筑。

Advanced Materials: 基于范德华异质结高性能器件应用的最新综述

南京大学物理学院缪峰教授等在Advanced Materials发表综述文章,回顾了基于二维材料范德华异质结结构的相关器件应用领域的最新进展,主要包括垂直方向场效应晶体管、光电探测器件和自旋电子学应用等,并且对领域的发展前景进行了展望。

Advanced Electronic Materials: 纳米级厚度铁磁半导体的剥离转移及其范德华异质结的构建

北京大学叶堉研究员和戴伦教授研究团队和中科院半导体所赵建华课题组合作,发展了一种将10-20 nm薄的二维铁磁半导体(Ga,Mn)As从MBE生长基底上剥离转移下来的方法,并运用定向干法转移技术,制备了基于剥离后(Ga,Mn)As的范德华异质结器件。

InfoMat: 基于Bi2O2Se /石墨烯范德华异质结的光电及短沟道器件

北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组通过直接转移法实现了高迁移率二维半导体Bi2O2Se和石墨烯的范德华异质结结构的构筑,并将这类异质结应用到的短沟道场效应晶体管和红外探测器中。

利用电化学栅极调制MoS2/石墨烯范德华异质结的激子态行为

哈尔滨工业大学材料学院甄良教授、徐成彦教授及其研究团队通过构建单层MoS2/石墨烯异质结构体系,以溶胶电介质作为栅极,系统研究了MoS2与石墨烯界面处的能带排列以及MoS2中载流子浓度对MoS2/石墨烯异质结光致发光性能及激子态行为的影响。