Advanced Electronic Materials: 基于吡咯并吡咯二酮聚合物的自旋阀器件研究

中国科学院化学研究所于贵研究员与中国科学院物理研究所金奎娟研究员合作,首次制备了基于吡咯并吡咯二酮聚合物的自旋阀器件,实现了该类分子材料的自旋输运,在低温下可达到30%的磁阻比,并且揭示了界面和分子结构对器件性能的影响。