中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室A02组（功能晶体研究与应用中心）
碳化硅晶体的新效应：中红外非线性光学频率变换
2013年09月21日 by
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组（A02组，功能晶体研究与应用中心）博士生王顺冲、王刚副研究员等与光学物理重点实验室魏志义研究组（L07组）博士生詹敏杰等人合作，发现半绝缘4H碳化硅晶体在2.5-5.6 μm中红外波段具有高的透过率，重新测量了4H碳化硅晶体在中红外波段的折射率，纠正了前人的错误报道，在新测折射率的基础上确定了4H碳化硅的相位匹配条件。
碳化硅纳米条带的电子结构调控
2013年08月27日 by
安徽大学娄平教授长期从事碳化硅类石墨烯纳米条带的研究。近期，娄教授对锯齿边SiC纳米带非磁性杂质[硼（B）或氮（N）] 化学替代效应“绘制”了一幅完整、清晰的图谱。
