Advanced Materials:快速制备无缺陷硒化铟纳米片用于大面积光电器件

(1)首次采用电化学插层方法剥离层状硒化铟晶体, 得到无缺陷的纳米片; (2)纳米片的层数及尺寸大小可以通过插层离子及电压进行控制: (3)硒化铟纳米片具有良好的溶液分散性,可用于制备大面积,高性能的光电器件。

Small:边界同质外延生长硒化铟纳米线及高性能光电探测器

南京大学物理学院缪峰课题组应用边界同质外延法合成出取向性硒化铟纳米线,此方法无需金属催化剂和单晶基底的导向。以所生长硒化铟纳米线为基础,制备出高性能的光电探测器。