Advanced Materials:表面合成石墨烯纳米带的调控工程

中国科学院化学研究所于贵课题组全面综述了石墨烯纳米带的表面合成,阐述了石墨烯纳米带的生长要素、结构/宽度调控方案以及其器件制备等。说明了表面合成对于实现石墨烯纳米带的可控制备以及实现其实际或潜在应用具有重要意义。

《二维视界》之《时点4》:谢晓明——沟槽助力石墨烯纳米带可控生长

石墨烯因其零带隙的特征却大大限制了其在电子器件领域的发展,而研究表明石墨烯纳米带能够成功打开其带隙。中国科学院上海微系统与信息技术研究所的谢晓明研究员则巧妙利用六方氮化硼纳米沟槽作为模板,成功生长出尺寸可控的石墨烯纳米带,打开其带隙,并且其具有优异的电学性能。