GaN衬底调控增强MoS2室温谷极化率

北京大学物理学院戴伦教授、叶堉研究员与其合作者采用化学气相沉积法,在晶格匹配的氮化镓(GaN)衬底上外延生长出单层MoS2,形成第I类异质结。