北京大学刘开辉课题组总结了设计生长大尺寸二维单晶研究的最新进展。该综述基于单晶生长的四个关键因素：1）控制成核，包括限制成核密度、控制单核长大等；2）加快生长速度，包括降低反应的能量势垒、促进前驱体分解和边缘原子吸附等；3）衬底表面调控，主要为衬底表面对称性对二维单晶生长的影响；4）产物单一相控制，展示了过渡金属硫族化合物的高纯相生长和诱发相变的多种手段。
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