铜镍合金衬底上高质量单原子层石墨烯/六方氮化硼平面异质结的制备

使用CuNi衬底以及化学气相沉积方法,先制备高质量三角形六方氮化硼(h-BN)单晶畴,再生长石墨烯从而获得高性能石墨烯/hBN平面异质结。CuNi具有很强的催化能力一方面可消除石墨烯随机形核,确保石墨烯只在hBN顶角成核,另一方面CuNi衬底上石墨烯生长速度极快,从而降低了石墨烯生长过程中对hBN的腐蚀。