单层磷烯中基于维度控制的光致发光增强

澳洲国立大学工程学院卢曰瑞课题组通过等离子体辅助化学气相沉积在表面镀金的硅基片上沉积富含氧的点缺陷的二氧化硅层,并成功将磷烯转移到这一基底上。发现转移到富含氧缺陷基底上的磷烯除了在700纳米左右的自由激子峰之外,在920纳米左右出现了一个新的更强的光致发光峰,并确定它源自自由激子局域在氧的点缺陷后的光致发光。在二维的磷烯上自由度被限制在一维的激子在被氧的点缺陷局域在零维之后,它们的量子发光效率得到很大幅度地增强。同时,这种存在于磷烯中的二维-一维-零维混合体系为研究多体相互作用提供了理想的平台。