Advanced Science:颠覆传统外延模式—石墨烯驱动AlN薄膜的准二维生长,有效增强DUV-LED发光性能

中科院半导体研究所李晋闽团队与北京大学刘忠范团队联合报道了石墨烯/NPSS模板上实现高质量AlN薄膜的准二维生长。基于石墨烯上生长的高质量272-nm 深紫外发光二极管(DUV-LED),与传统低温AlN作缓冲层的器件相比,其光输出功率提高了22%,这种简便的策略为提高DUV-LED的性能开辟了新的道路。