GaN衬底调控增强MoS2室温谷极化率

北京大学物理学院戴伦教授、叶堉研究员与其合作者采用化学气相沉积法,在晶格匹配的氮化镓(GaN)衬底上外延生长出单层MoS2,形成第I类异质结。

用于量子密码技术的单光子发射器

密歇根大学的研究人员向我们展示了利用传统的半导体工艺制备的一种简单的效率更高的单光子发射器。该研究成果将进一步推进更先进的加密通讯技术-量子密码技术的发展。