P型氧化物薄膜晶体管取得新突破—低温溶液法制备高性能透明Cu:NiO薄膜电子器件

青岛大学单福凯课题组在P型氧化物研究领域取得重要进展。该课题组利用溶液旋涂技术和“燃烧合成(combustion)”工艺在低温下(150oC)制备了P型Cu掺杂NiO(Cu:NiO)半导体薄膜。

低温溶液燃烧法制备用于溶液工艺光电器件的p型NiO空穴传输层

目前可用于采用溶液工艺制备NiO薄膜所需的退火较高(>250 °C),制约了其在柔性器件中的应用。浙江大学博士生白赛在金一政副教授的指导下,与苏州大学孙宝全教授课题组、瑞典Linköping大学的Feng Gao和Fengling Zhang等人合作,针对这一问题开展了相关研究。