本征点缺陷在Mg2X (X = Si, Ge, Sn)基热电材料中的重要角色

浙江大学材料学院赵新兵教授、朱铁军教授及博士生刘晓华等与上海大学张文清教授、杨炯教授和席丽丽副研究员合作系统计算了Mg2X (X = Si, Ge, Sn)化合物中本征点缺陷形成能及缺陷浓度,并从化学键键能及缺陷引起的畸变能角度分析三者缺陷存在差异的原因。通过计算能带及差分电荷密度图,分析Mg间隙缺陷对于电传输性能的影响。