InfoMat: 通过铜掺杂的边缘接触实现黑磷的n型载流子传输

近日,香港理工大学柴扬教授研究组在以往工作的基础上,实现了n型的黑磷晶体管,在InfoMat上发表题为“Interstitial copper-doped edge contact for n-type carrier transport in black phosphorus”的文章。

金属卤素化合物钙钛矿材料在场效应晶体管中的应用

南京理工大学的曾海波教授课题组最近发表了综述本章“Metal Halide Perovskites: Synthesis, Ion Migration, and Application in Field‐Effect Transistors”,系统阐述了最近几年钙钛矿场效应晶体管的研究进展,提出弱化和去除离子屏蔽效应的解决方案。

基于可溶液加工的宽带隙有机半导体纳米结构阵列电荷存储层的有机场效应晶体管存储器

南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院黄维院士和合作者们利用溶液加工工艺制备了宽带隙有机半导体纳米结构阵列,并作为电荷存储层成功应用于有机场效应晶体管中,显著提高了存储器的存储容量和存储稳定性和可靠性。

P型氧化物薄膜晶体管取得新突破—低温溶液法制备高性能透明Cu:NiO薄膜电子器件

青岛大学单福凯课题组在P型氧化物研究领域取得重要进展。该课题组利用溶液旋涂技术和“燃烧合成(combustion)”工艺在低温下(150oC)制备了P型Cu掺杂NiO(Cu:NiO)半导体薄膜。

基于叠层有机半导体异质结的高性能非易失性晶体管存储器

南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院黄维教授和合作者以三层有机半导体异质结同时作为半导体层和电荷存储层,制备了高性能的非易性有机场效应晶体管存储器,并实现了多阶存储特性以及在柔性存储中的应用。

与传统半导体工艺兼容的二维材料载流子调控与掺杂思路

香港理工大学应用物理系柴扬教授课题组通过改变WSe2厚度或者沉积氧化物薄层的技术,实现了多数载流子可控的WSe2晶体管。

界面工程可提高二维层状半导体的迁移率

南京大学电子科学与工程学院的王欣然、施毅教授课题组在HfO2衬底上,实现了室温迁移率近150cm2/Vs的单层MoS2晶体管,是目前报道的最高记录。

通过界面调控研制高性能二硫化钼顶栅晶体管

武汉大学物理学院廖蕾教授课题组采用材料表面功能化的方法成功实现了硫化钼表面高介电常数介质层的高质量沉积,进而获得了高性能顶栅型硫化钼场效应管。

有机给受体复合物—新型双极性输运材料

中科院化学研究所和清华大学的研究人员合作通过改变受体分子的电负性和共轭程度,利用给受体之间的电荷转移,调控了给受体之间的相互作用,成功制备了高性能的、空气稳定的、双极性输运给受体复合物单晶器件。

高性能纳米晶体管研究取得重要进展

武汉大学廖蕾课题组通过在非晶氧化物中掺入适量的单壁碳纳米管,极大地提升了其迁移率。在近期工作中,该课题组利用非晶氧化物的高透明度,制作出对红、绿、蓝三原色光有响应的透明光学传感器,实现了对光斑条纹的高分辨探测,研究结果近期发表在国际著名期刊Advanced Materials上。