以铜-酞菁核星状聚苯乙烯高分子为纳米浮栅于非挥发性有机场效电晶体型记忆体元件之应用

日本国立物质材料研究机构相见顺子博士和台湾大学陈文章教授合作团队,使用(铜-酞菁(phthalocyanine))核之星状高分子作为纳米浮栅(nano-floating gate),与以五联苯(pentacene)为半导体层,成功地制备了高效能的非挥发型有机场效电晶体型记忆体元件。