范德瓦尔斯铁电体中门压可调且多方向电阻切换的忆阻现象

对二维半导体铁电材料α-In2Se3的持续研究后(ACS Nano 2018, 12, 4976; Adv. Fun. Mater. 2018, 28, 1803738),KAUST薛飞博士后及其合作导师张西详教授、李连忠教授(Prof.Lain-Jong Li)与何志浩教授 (Prof.Jr-Hau He)等合作者,成功制备出一系列具有门压可调、多方向电阻切换的铁电忆阻器件。

钙钛矿应用的新路线——首个纤维形态的钙钛矿忆阻器件研发成功

北京大学化学与分子工程学院的邹德春教授研究团队,作为最早发现钙钛矿材料忆阻性质的科研团队之一,在之前的工作中,探究了钙钛矿的忆阻性质并对器件的性能进行了优化,在平面性钙钛矿忆阻器件上实现了非常高的开关比。最近,又基于多年研究纤维电子器件的经验,团队成功研制了第一个纤维形态的钙钛矿忆阻器件。