Advanced Functional Materials:基于忆阻器阵列的非易失算术逻辑运算单元

华中科技大学光学与电子信息学院、武汉光电国家研究中心李祎副教授、缪向水教授团队提出并设计了基于忆阻器阵列的非易失算术逻辑运算单元(MemALU),实现了信息存储和计算一体化,为未来非冯计算架构提供备选方案。

Advanced Electronic Materials:忆阻突触和忆阻神经元及其在类脑计算中的应用

华中科技大学材料科学与工程学院杨蕊教授和郭新教授总结了近年来忆阻突触器件和忆阻神经元电路的实现途径及其在类脑运算中的应用。相关综述论文在线发表在Advanced Electronic Materials (https://doi.org/10.1002/aelm.201900287)。

新型介观功能材料与蚕丝柔性介观电子学:银纳米簇介观杂化丝蛋白材料构建新型忆阻器及人工神经突触

厦门大学刘向阳教授团队通过纳观模板诱导成核,将功能纳米物质“镶嵌”进丝素蛋白介观网络结构中,第一次制备出功能新颖的丝素蛋白介观杂化材料,并将其作为关键材料构建出高性能、高稳定性、低能耗的蚕丝忆阻器及人工神经突触。

Small:基于二维金属碳化物(Ti3C2Tx)的高性能忆阻器及其物理机制

河北大学电子工程学院闫小兵教授及其课题组在石墨烯材料研究的基础上,报道了一种具有类石墨烯性质的二维金属碳化物(Ti3C2Tx)作为功能层的忆阻器。该忆阻器表现出了超快的脉冲调控性能,并对器件的物理机理进行了深入的分析。

Small:基于二维材料 WS2纳米片的忆阻器实现低功耗神经形态计算

河北大学闫小兵教授课题组联合中科院微电子所刘琦研究员课题组利用二维材料WS2纳米片制备了两端忆阻器件,实现了操作电流低至1微安和开关能耗低至飞焦量级的低功耗特性,并且实现了突触功能的模拟。此外,通过研究提出了基于电子在空位间跳跃传输的物理开关机制。

InfoMat: 有机-无机杂化钙钛矿忆阻器研究进展综述

基于近年来有机-无机杂化钙钛矿忆阻器的研究进展,东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室的徐海阳教授和刘益春教授研究团队在Wiley新期刊InfoMat上发表了相关的综述论文“Memristors with organic‐inorganic halide perovskites”。

Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letter:面向类脑计算的忆阻器件和神经网络研究进展

随着大数据和人工智能时代的到来,复杂的计算任务和多变的应用场景对计算机性能提出了更高吞吐量、更低功耗的要求。而 […]

基于钽掺杂SiOx的3D垂直结构高性能忆阻器

美国马萨诸塞大学阿默斯特分校夏强飞教授课题组开发并制备了基于钽掺杂SiOx的高性能3D垂直结构忆阻器。

Advanced Electronic Materials:基于聚对二甲苯和石墨烯阻挡层的低功耗有机柔性忆阻器

北京大学微纳电子学研究院蔡一茂教授课题组与中科院微电子所刘琦课题组合作研制了一种基于聚对二甲苯和石墨烯阻挡层的低功耗柔性忆阻器。

Small Methods:基于模拟-数字共存的忆阻器实现精度和速度可调的图像识别方法

东北师范大学物理学院徐海阳/王中强研究组在单一器件中获得了数字型和模拟型共存的忆阻行为,并通过在人工神经网络混合使用两种器件,实现了学习精度和速度连续可调的图像识别,为未来神经形态网络适应不同环境的需求提供了研究基础。