Small:基于二维金属碳化物(Ti3C2Tx)的高性能忆阻器及其物理机制

河北大学电子工程学院闫小兵教授及其课题组在石墨烯材料研究的基础上,报道了一种具有类石墨烯性质的二维金属碳化物(Ti3C2Tx)作为功能层的忆阻器。该忆阻器表现出了超快的脉冲调控性能,并对器件的物理机理进行了深入的分析。

Small:基于二维材料 WS2纳米片的忆阻器实现低功耗神经形态计算

河北大学闫小兵教授课题组联合中科院微电子所刘琦研究员课题组利用二维材料WS2纳米片制备了两端忆阻器件,实现了操作电流低至1微安和开关能耗低至飞焦量级的低功耗特性,并且实现了突触功能的模拟。此外,通过研究提出了基于电子在空位间跳跃传输的物理开关机制。

InfoMat: 有机-无机杂化钙钛矿忆阻器研究进展综述

基于近年来有机-无机杂化钙钛矿忆阻器的研究进展,东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室的徐海阳教授和刘益春教授研究团队在Wiley新期刊InfoMat上发表了相关的综述论文“Memristors with organic‐inorganic halide perovskites”。

Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letter:面向类脑计算的忆阻器件和神经网络研究进展

随着大数据和人工智能时代的到来,复杂的计算任务和多变的应用场景对计算机性能提出了更高吞吐量、更低功耗的要求。而 […]

基于钽掺杂SiOx的3D垂直结构高性能忆阻器

美国马萨诸塞大学阿默斯特分校夏强飞教授课题组开发并制备了基于钽掺杂SiOx的高性能3D垂直结构忆阻器。

Advanced Electronic Materials:基于聚对二甲苯和石墨烯阻挡层的低功耗有机柔性忆阻器

北京大学微纳电子学研究院蔡一茂教授课题组与中科院微电子所刘琦课题组合作研制了一种基于聚对二甲苯和石墨烯阻挡层的低功耗柔性忆阻器。

Small Methods:基于模拟-数字共存的忆阻器实现精度和速度可调的图像识别方法

东北师范大学物理学院徐海阳/王中强研究组在单一器件中获得了数字型和模拟型共存的忆阻行为,并通过在人工神经网络混合使用两种器件,实现了学习精度和速度连续可调的图像识别,为未来神经形态网络适应不同环境的需求提供了研究基础。

Advanced Electronic Materials:忆阻器中量子电导效应的最新进展综述

近日,来自中国科学院宁波材料技术与工程研究所的李润伟研究员团队撰写了题为“Recent Advances of Quantum Conductance in Memristors”的综述论文,薛武红博士和高双副研究员为共同第一作者。论文首先简单介绍了忆阻器中纳米导电通道的演化动力学过程,然后详细总结和讨论了忆阻器中量子电导效应的实验观测、理论理解(包括量子点接触模型和第一性原理计算)、可控调节以及其在逻辑运算、突触仿生和光电开关/探测方面应用的最新进展。

用于类脑计算的忆阻器人工突触研究进展综述

中国科学院宁波材料技术与工程研究所诸葛飞研究员课题组以“Memristive Synapses for Brain-Inspired Computing”为题在Adv. Mater. Technol.发表综述文章,总结了不同种类忆阻器人工突触的研究进展,重点着眼于器件的工作机理、交叉阵列集成和认知功能。

Advanced Electronic Materials:铁电的新使命-应用于类脑神经网络的铁电突触器件

华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室段纯刚课题组联合中国科学院上海技术物理研究所王建禄课题组,将铁电应用于类脑神经形态模拟。