Advanced Functional Materials:利用局域场调制将半浮栅存储器的刷新时间延长535%

复旦大学周鹏课题组和中国科学院微电子研究所刘琦课题组合作报道了通过引入铁电层HfZrO4作为栅极电介质,调节范德华异质结半浮栅存储器中pn结的电荷泄漏速度,将存储器的刷新时间延长了535%。