InfoMat:聚焦InSe与GaSe的接触、迁移率、封装工艺的新进展

具有丰富电子特性的半导体二维(2D)材料的出现为下一代电子器件的设计与探索提供了绝佳的机遇。其中代表性的材料体系之一为III-VI族化合物,又以硒化铟(InSe)和硒化镓(GaSe)为代表。与过渡金属二硫化物相比,III-VI族化合物迁移率较高、直接带隙较窄,然而,InSe和GaSe对环境的敏感性限制了其功能器件应用,在制备方面亦缺乏大规模制备路径。在此,来自HZDR研究所的Himani Arora与Artur Erbe概述了近年来InSe和GaSe的材料合成与电输运特性的研究,罗列了推动器件优化的因素,如衬底、金属接触以及器件制备过程等。此外,作者对InSe和GaSe各种封装技术进行了全面讨论。