Advanced Materials:二维亚铁磁Cr2S3半导体的可控生长和厚度依赖的导电类型转变

北京大学工学院张艳锋课题组通过金属前驱体的独特设计和生长温度的精确调控,首次实现了厚度可调二维亚铁磁Cr2S3纳米片的可控制备,并揭示了Cr2S3纳米片层厚依赖的导电类型转变。