Advanced Electronic Materials: 纳米级厚度铁磁半导体的剥离转移及其范德华异质结的构建

北京大学叶堉研究员和戴伦教授研究团队和中科院半导体所赵建华课题组合作,发展了一种将10-20 nm薄的二维铁磁半导体(Ga,Mn)As从MBE生长基底上剥离转移下来的方法,并运用定向干法转移技术,制备了基于剥离后(Ga,Mn)As的范德华异质结器件。