Small:基于石墨烯电学特性的超灵敏场效应生物传感器

清华大学符汪洋课题组系统介绍了石墨烯生物化学传感器方面的最新研究成果,提出了提升传感性能的两大策略,即表面特异修饰和新型测量原理及方法。该综述详细介绍了器件原理、结构设计、表面功能化处理及新型测量手段,并例举了该传感器在各领域中的应用前景,最后对该领域的研究现状进行了评述和展望。

Small:基于大尺寸二硫化锡原子层的高性能场效应晶体管

华东师范大学物理与电子科学学院上海市极化材料多功能磁光光谱技术服务平台胡志高科研团队与合作者北京航空航天大学宮勇吉科研团队应用熔融盐化学气相沉积法合成出大尺寸二维材料二硫化锡(SnS2),进一步以原子层二硫化锡为基础,制备出高性能场效应晶体管并揭示了温度对该微纳电子器件性能的影响规律。

Advanced Materials:柔性侧链对共轭聚合物半导体迁移率及功能的影响

中国科学院化学研究所张德清课题组综述了共轭聚合物侧链对半导体性能及功能影响的最新进展,包括烷基侧链,含杂原子及官能团修饰的侧链等。最后,他们对共轭聚合物的侧链研究现状和发展前景做了总结和展望。

InfoMat: 基于Bi2O2Se /石墨烯范德华异质结的光电及短沟道器件

北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组通过直接转移法实现了高迁移率二维半导体Bi2O2Se和石墨烯的范德华异质结结构的构筑,并将这类异质结应用到的短沟道场效应晶体管和红外探测器中。

Small:“拈颗原子补天缺”——二维材料本征空位缺陷的快速修补术

山东大学韩琳、刘宏课题组与中科院物理所谷林课题组合作提出一种修复二维材料本征空位缺陷的方法。文章以少层二硫化钨(WS2)二维晶体为主要研究对象,利用低功率氮等离子体修复缺陷的方式,仅仅五分钟就可以将二维材料晶体管的缺陷密度降低4倍,场效应电子迁移率提高6.2倍。

Physica Status Solidi (RRL):基于二硫化铼的电学和光电应用综述进展

复旦大学微电子学院周鹏课题组全面总结了二硫化铼的基本性质、电学和光电应用。

调控绝缘层表面性质以提高溶液法制备TIPS-pentacene场效应晶体管的迁移率

东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室汤庆鑫课题组通过选择合适的溶剂确保半导体溶液在疏水和亲水绝缘层上保持良好浸润性的前提下,成功原位生长出高度有序的单晶微米线阵列,并探究了绝缘层的表面性质对溶液法制备的有机场效应晶体管迁移率的影响。

微纳电子器件设计新方向-单双层MoS2的直接合成及性能调控

天津理工大学张楷亮教授领导的科研团队采用化学气相沉积法成功获得了高质量,大尺寸,单、双层MoS2,并总结了影响MoS2层数、尺寸等特征的影响规律。

有机半导体能带工程—-利用量子阱结构制备高电子迁移率晶体管

中科院长春应用化学研究所王海波和闫东航研究团队利用有机量子阱对载流子的束缚效应,将高浓度的电子束缚在量子阱内的分立化能级上,形成二维电子气。利用该二维电子气作为传输沟道,最高电子迁移率达到了10 cm2 V−1 s−1。相比于传统的场效应晶体管,有机二维电子气不仅具有高载流子密度和二维传输的特性,而且其传输沟道位于有机半导体层的内部,远离有机/绝缘层界面,避免了界面缺陷和杂质散射等影响。

分子结构排列对半结晶性共轭高分子拉伸性之影响

可拉伸之高分子元件为当前最重要的研究方向之一,但高分子化学结构对于拉伸状态的电子特性之影响,目前并未被清楚了解,为了找寻这个课题之答案,来自史丹福大学、台北科技大学与台湾大学的合作团队设计了一系列不同主链与侧链结构的共轭高分子,并研讨如何得到具可拉伸之高电子性能共轭高分子材料。