Advanced Functional Materials:含半稠合吡咯并吡咯二酮单元的高性能双极性给-受体共轭聚合物

中国科学院化学研究所张德清课题组利用半稠合吡咯并吡咯二酮电子受体单元,设计合成具有双极性传输性能的给-受体共轭聚合物,其电子和空穴传输速率分别为2.23和1.08 cm2V-1s-1,基于该材料的反相器的增益值达到141.

Advanced Materials:一分为二,驭光而为——基于局部化学改性的高性能p-n结光电探测器

北京航空航天大学物理学院张俊英教授、王钰言助理教授团队根据密度泛函理论计算(DFT),提出了一种利用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对少层WSe2和WS2器件实现有效可控电子掺杂的方案,并通过对少层WSe2进行局部电子掺杂构造出高性能的平面p-n结光电探测器。

Small:边界同质外延生长硒化铟纳米线及高性能光电探测器

南京大学物理学院缪峰课题组应用边界同质外延法合成出取向性硒化铟纳米线,此方法无需金属催化剂和单晶基底的导向。以所生长硒化铟纳米线为基础,制备出高性能的光电探测器。

InfoMat:基于WS2(1−x)Se2x/SnS2双层异质结的双沟道类型可调场效应晶体管

湖南大学潘安练教授团队在InfoMat上发表了题为“Dual‐channel type tunable field‐effect transistors based on vertical bilayer WS2(1−x)Se2x/SnS2 heterostructures”的文章。该文章基于CVD法合成了纵向双层WS2(1−x)Se2x/SnS2异质结,实现了系列基于双沟道的载流子类型可调的场效应晶体管,丰富了二维材料在新一代电子和光电子器件方面的应用。

Advanced Materials:从自发到可控—平面纳米线生长、集成和器件应用

南京大学徐骏、余林蔚教授课题组近期撰写长文综述,全面回顾了近二十年来自组装半导体纳米线研究的发展历程,关键技术突破和目前所面临的主要困难。在半导体纳米线研究日益成熟的大背景下,特别关注了更为贴近产业化应用需求的平面纳米线生长调控和规模集成技术

Small:基于石墨烯电学特性的超灵敏场效应生物传感器

清华大学符汪洋课题组系统介绍了石墨烯生物化学传感器方面的最新研究成果,提出了提升传感性能的两大策略,即表面特异修饰和新型测量原理及方法。该综述详细介绍了器件原理、结构设计、表面功能化处理及新型测量手段,并例举了该传感器在各领域中的应用前景,最后对该领域的研究现状进行了评述和展望。

Small:基于大尺寸二硫化锡原子层的高性能场效应晶体管

华东师范大学物理与电子科学学院上海市极化材料多功能磁光光谱技术服务平台胡志高科研团队与合作者北京航空航天大学宮勇吉科研团队应用熔融盐化学气相沉积法合成出大尺寸二维材料二硫化锡(SnS2),进一步以原子层二硫化锡为基础,制备出高性能场效应晶体管并揭示了温度对该微纳电子器件性能的影响规律。

Advanced Materials:柔性侧链对共轭聚合物半导体迁移率及功能的影响

中国科学院化学研究所张德清课题组综述了共轭聚合物侧链对半导体性能及功能影响的最新进展,包括烷基侧链,含杂原子及官能团修饰的侧链等。最后,他们对共轭聚合物的侧链研究现状和发展前景做了总结和展望。

InfoMat: 基于Bi2O2Se /石墨烯范德华异质结的光电及短沟道器件

北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组通过直接转移法实现了高迁移率二维半导体Bi2O2Se和石墨烯的范德华异质结结构的构筑,并将这类异质结应用到的短沟道场效应晶体管和红外探测器中。

Small:“拈颗原子补天缺”——二维材料本征空位缺陷的快速修补术

山东大学韩琳、刘宏课题组与中科院物理所谷林课题组合作提出一种修复二维材料本征空位缺陷的方法。文章以少层二硫化钨(WS2)二维晶体为主要研究对象,利用低功率氮等离子体修复缺陷的方式,仅仅五分钟就可以将二维材料晶体管的缺陷密度降低4倍,场效应电子迁移率提高6.2倍。