湖南大学潘安练教授团队在InfoMat上发表了题为“Dual‐channel type tunable field‐effect transistors based on vertical bilayer WS2(1−x)Se2x/SnS2 heterostructures”的文章。该文章基于CVD法合成了纵向双层WS2(1−x)Se2x/SnS2异质结，实现了系列基于双沟道的载流子类型可调的场效应晶体管，丰富了二维材料在新一代电子和光电子器件方面的应用。
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