GaN衬底调控增强MoS2室温谷极化率

北京大学物理学院戴伦教授、叶堉研究员与其合作者采用化学气相沉积法,在晶格匹配的氮化镓(GaN)衬底上外延生长出单层MoS2,形成第I类异质结。

六方氮化硼上单层二硫化钼的合成及其光学品质改善的物理机制研究

北京大学物理学院戴伦教授及其研究团队,在h-BN衬底上单层MoS2的合成及其光学品质改善的物理机制研究方面取得重要进展。