Advanced Materials:三维双连续纳米多孔二维金属化合物的通用制备

湖南大学材料科学与工程学院谭勇文教授团队基于表面合金策略,通过纳米多孔金辅助化学气相沉积方法合成了具有厚度、孔径可调的19种二元和5种三元的二维金属化合物,其中合成的3D MoSSe合金材料展现了优异的电催化氮还原性能。

Small:原子级薄卤氧化物日盲光电探测器

华中科技大学材料学院翟天佑教授和武汉光电国家研究中心的李露颖副教授等人通过盐辅助的化学气相沉积(CVD)法成功制备出大尺寸、原子级薄的二维BiOCl纳米片,并以BiOCl纳米片为基础构建出高性能的日盲光电探测器。

Advanced Functional Materials:亚毫米级单层p型H相VS2

华中科技大学翟天佑课题组采用熔融盐辅助的化学气相沉积法合成出新型亚毫米尺寸单层二硫化钒(VS2)。球差校正透射电子显微镜表明所合成的VS2具有新型的反演对称破缺的H相结构。VS2基场效应晶体管进一步证实H相VS2具有典型的p型半导体特性。作为一种新型稳定的过渡金属硫属化合物材料,H相VS2可能在未来电子学器件中有良好的应用前景。

Small:碳包覆的钛酸钾负极材料助力高性能钾离子混合电容器

澳大利亚悉尼科技大学汪国秀教授课题组首次将喷雾干燥和化学气相沉积技术(CVD)相结合,制备出碳包覆的钛酸钾微米球状负极材料(S-KTO@C),并将其与活性炭(AC)进一步组装成S-KTO@C//AC钾离子混合电容器。

Small:基于大尺寸二硫化锡原子层的高性能场效应晶体管

华东师范大学物理与电子科学学院上海市极化材料多功能磁光光谱技术服务平台胡志高科研团队与合作者北京航空航天大学宮勇吉科研团队应用熔融盐化学气相沉积法合成出大尺寸二维材料二硫化锡(SnS2),进一步以原子层二硫化锡为基础,制备出高性能场效应晶体管并揭示了温度对该微纳电子器件性能的影响规律。

Advanced Materials:单晶石墨烯薄膜的可控制备

北京大学刘忠范-彭海琳课题组系统总结了化学气相沉积法制备单晶石墨烯薄膜的主要方法、调控机理和关键参数,从单晶种法和多晶种法两个方面详细梳理了目前的主要工作和研究进展,详细对比了两种方法的优点和不足,并对单晶石墨烯薄膜未来的批量制备和杀手锏级应用进行了展望。

微纳电子器件设计新方向-单双层MoS2的直接合成及性能调控

天津理工大学张楷亮教授领导的科研团队采用化学气相沉积法成功获得了高质量,大尺寸,单、双层MoS2,并总结了影响MoS2层数、尺寸等特征的影响规律。

硫化铟(In2S3)——具有宽谱响应光电探测性能的新型二维材料

华中科技大学材料科学与工程学院翟天佑教授课题组首次通过化学气相沉积法在限域空间内成功获得了一种新型的高质量二维III-VI族半导体——硫化铟(In2S3),通过控制限域空间的大小,实现了In2S3二维材料大小、厚度及形貌的可控合成,基于In2S3二维材料的光电探测器件展现了优异的宽谱光响应性能。

石墨烯:传统材料的多功能表面修饰层

武汉大学付磊教授的团队从全新的视角考察了石墨烯对传统材料的表面涂层功能化,基于近年来该团队在高效透明石墨烯加热器件取得的研究成果及同行的相关研究进展,提出了石墨烯超级材料概念。有望实现各类传统材料的高效功能化,带来一系列神奇的性质。

自支撑三维纳米多孔石墨烯薄膜制备微米级柔性全固态非对称超电容

天津大学赵乃勤教授课题组利用纳米多孔铜为模板原位合成了三维管道状纳米多孔石墨烯薄膜(3D-DG),其孔径分布为500 ~ 800nm,石墨烯片层少于5层,并展现了良好的柔韧性。